[21a-H121-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21a-H121-9] ScAlMgO₄基板上のGaN薄膜の構造安定性に関する理論的検討

〇中根 晴信¹、秋山 亨¹、中村 浩次¹、伊藤 智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：第一原理計算