[21a-P8-1~27] 16 非晶質・微結晶（ポスター）

[21a-P8-4] Ion Beam Assist法を用いたa-Si:H膜への過剰水素添加に関する研究

〇(M2)美山 和樹¹、大津 宗一郎²、小野 貴寛²、久保田 弘¹、橋新 剛²、吉岡 昌雄² (1.熊大院自然科学、2.熊大工)

キーワード：アモルファスシリコン、水素化

太陽電池の素材の一つとしてアモルファスシリコンがある。この素材は単結晶・多結晶Siに比べて生産コストが安く、薄膜化することができるという利点で多用されている反面、電気エネルギーへの変換効率が低いという問題がある。本研究では，高効率化の方針として，Ion Beam Assist法を用いた水素打ち込みによるダングリングボンドの水素置換を行う．成膜とイオンビーム照射を交互に繰り返しながら水素添加アモルファスシリコン膜を積み上げていくシーケンシャルIon Beam Assist法により，膜中に存在するダングリングボンドを上回る量の過剰水素添加a-Si:H膜の作成を目標としている.