[21a-S222-1~12] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[21a-S222-1] β-Ga₂O₃基板の加工変質層の評価

〇渡辺 信也¹、輿 公祥¹、山岡 優¹、増井 建和¹、倉又 朗人¹、山腰 茂伸¹ (1.タムラ製作所)

キーワード：酸化ガリウム、加工変質層、X線トポグラフ法

β-Ga2O3単結晶から作製した基板の加工変質層について述べる。基板研磨工程は、グラインディング、ラッピング、CMPであり、(010)面の加工変質層の評価は、回折面のX線トポグラフ法を使用した。X線トポ像から加工変質層が残存する、および、ほぼ除去できている加工条件が確認された。この結果を基に評価を進め、CMPでは加工変質層が生じないこと、線状痕はラッピング起因であり、その加工変質層の深さは10-20μｍであることを確認した。