[21a-S222-1~12] 21.1 Joint Session K

[21a-S222-10] Electrochromic properties of MBE grown single-crystalline WO₃ films

〇(M1)Takayuki Murayama¹, Wataru Kuwagata¹, Yoshiyuki Harada¹, Kazuto Koike¹, Shigehiko Sasa¹, Mitsuaki Yano¹, Katsuhiko Inaba², Shintaro Kobayashi² (1.Osaka Inst. of Tech., NMRC, 2.Rigaku Corp., X-ray Res. Lab.)

Keywords:WO3,MBE,Electrochromic

WO₃は，古くから触媒やガスセンサの候補材料として研究されてきたワイドギャップ半導体である．前回我々は，MBE 法でr 面サファイア基板上にc 軸配向した単結晶WO₃ 薄膜をエピタキシャル成長したことについて報告した．今回，その薄膜を溶液ゲートタイプのデバイスへ加工して，エレクトロクロミック特性を調べた結果について報告する．