[21a-S222-1~12] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[21a-S222-10] MBE成長した単結晶WO₃薄膜のエレクトロクロミック特性

〇(M1)村山 喬之¹、桒形 航行¹、原田 義之¹、小池 一歩¹、佐々 誠彦¹、矢野 満明¹、稲葉 克彦²、小林 信太郎² (1.大阪工大ナノ材研センタ、2.リガクX線研)

キーワード：WO3、MBE、エレクトロクロミック

WO₃は，古くから触媒やガスセンサの候補材料として研究されてきたワイドギャップ半導体である．前回我々は，MBE 法でr 面サファイア基板上にc 軸配向した単結晶WO₃ 薄膜をエピタキシャル成長したことについて報告した．今回，その薄膜を溶液ゲートタイプのデバイスへ加工して，エレクトロクロミック特性を調べた結果について報告する．