[21a-S222-1~12] 21.1 Joint Session K

[21a-S222-12] Growth of NiO Thin Films on Ga₂O₃ and its Applications to Heterojunction Diodes

〇Yoshihiro Kokubun¹, Shohei Kubo¹, Shinji Nakagomi¹ (1.Ishinomaki Senshu Univ.)

Keywords:gallium oxide,nickel oxide,heterojunction diode

ゾル－ゲル法により(100)面β-Ga₂O₃基板上へNiO薄膜を成長しX線回折で評価した結果、(100)[011]NiO║(100)[010]Ga₂O₃なる関係でNiO薄膜がβ-Ga₂O₃基板に成長していることが分かった。β-Ga₂O₃/NiOヘテロ接合ダイオードを試作し、良好な整流性が得られた。また、紫外光に応答するフォトダイオードとしても機能することが確かめられた。