[21a-S222-1~12] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[21a-S222-12] β-Ga₂O₃基板上へのNiO薄膜の成長とヘテロ接合ダイオードへの応用

〇國分 義弘¹、久保 匠平¹、中込 真二¹ (1.石巻専修大理工)

キーワード：酸化ガリウム、酸化ニッケル、ヘテロ接合ダイオード

ゾル－ゲル法により(100)面β-Ga₂O₃基板上へNiO薄膜を成長しX線回折で評価した結果、(100)[011]NiO║(100)[010]Ga₂O₃なる関係でNiO薄膜がβ-Ga₂O₃基板に成長していることが分かった。β-Ga₂O₃/NiOヘテロ接合ダイオードを試作し、良好な整流性が得られた。また、紫外光に応答するフォトダイオードとしても機能することが確かめられた。