[21a-S223-1~13] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[21a-S223-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] First-principle calculations about twin boundaries in BaSi₂ epitaxial film on Si(111)

〇Masakazu Baba¹, Masanori Kohyama², Kaoru Toko¹, Takashi Suemasu^1,3 (1.Univ. Tsukuba, 2.AIST, 3.JST-CREST)

Keywords:silicide,grain boundary

本研究では、シリサイド半導体BaSi₂の双晶粒界に対して、第一原理計算を用いた理論的視点からDB の構造、少数キャリアに対する特性を検討した。最安定な界面モデルにおいて、粒界近傍とバルク結晶内部の各原子における局所状態密度に顕著な変化は見られなかった。そのため、BaSi₂ の双晶粒界は少数キャリアトラップとして働かないことが考えられる。