The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[21a-S223-1~13] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

Mon. Mar 21, 2016 9:00 AM - 12:30 PM S223 (S2)

Takashi Suemasu(Univ. of Tsukuba), Yoshikazu Terai(Kyushu Inst. of Tech.)

11:30 AM - 11:45 AM

[21a-S223-10] Effects of structural disorder on optical properties of nano amorphous graphitic carbon nitrides

Atsushi Yamamoto1, Masaaki Hirai2, Nozomu Yasui2, Kenichi Takarabe2, Kiyoto Matsuishi1 (1.Institute of Materials Science, University of Tsukuba, 2.Okayama University of Science)

Keywords:carbon nitrides,amorphous semiconductors,optical properties

graphitic-C3N4は触媒や光学素子への応用が期待されている。本研究では大気圧窒素プラズマ法で作製されたナノアモルファス層状窒化炭素の光学的性質を調べた。光吸収測定の結果から光学ギャップを決定したところ、炭素に対する窒素の原子組成比が小さいほど、光学ギャップが小さいことが分かった。また、アニーリングにより光学ギャップが小さくなった。さらに、非晶質性に関連した局在電子状態に係わる興味深い結果が得られたので報告する。