2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[21a-S223-1~13] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2016年3月21日(月) 09:00 〜 12:30 S223 (南2号館)

末益 崇(筑波大)、寺井 慶和(九工大)

11:30 〜 11:45

[21a-S223-10] ナノアモルファス層状窒化炭素の光学的性質における非晶質性

山本 淳司1、平井 正明2、安井 望2、財部 健一2、松石 清人1 (1.筑波大数物、2.岡山理大)

キーワード:窒化炭素、非晶質半導体、光物性

graphitic-C3N4は触媒や光学素子への応用が期待されている。本研究では大気圧窒素プラズマ法で作製されたナノアモルファス層状窒化炭素の光学的性質を調べた。光吸収測定の結果から光学ギャップを決定したところ、炭素に対する窒素の原子組成比が小さいほど、光学ギャップが小さいことが分かった。また、アニーリングにより光学ギャップが小さくなった。さらに、非晶質性に関連した局在電子状態に係わる興味深い結果が得られたので報告する。