[21a-S223-1~13] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [21a-S223-13] Pseudo-MOSを使ったSOI基板のac 解析手法の検討

〇鑓田 勲¹、佐藤 伸吾¹、大村 泰久¹ (1.関西大)

キーワード：pseudo MOS、SOI基板、小信号解析

SOI基板を用いたデバイス製作前のSOI基板の電気的特性評価方法としてPseudo-MOSFET法が用いられている。本報告では、インピーダンス解析を行い、構造に由来する特性の特徴について調べた結果を述べる。Cole-Cole プロットに対応する等価回路を提案し、どのようなパラメータを抽出できるかを検証した。その結果、SOI基板について新たな電気的パラメータの抽出方法として有効であることが分かった。