2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[21a-S223-1~13] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2016年3月21日(月) 09:00 〜 12:30 S223 (南2号館)

末益 崇(筑波大)、寺井 慶和(九工大)

10:30 〜 10:45

[21a-S223-7] Mo6クラスター錯体化合物の電子構造と組成の相関性

〇(D)齋藤 典生1,2,3、コーディエ ステファン4,5、和田 芳樹2,3、大澤 健男2,3、ルモワンヌ ピエリック4,5、グラッセ ファビアン2,6、クロス S. ジェフリ―1、大橋 直樹2,3,7 (1.東工大、2.物・材機構、3.NIMS-サンゴバンCOE、4.仏UMR6226、5.仏レンヌ第一大、6.仏UMI3629、7.東工大元素)

キーワード:金属錯体、電子構造、DFT計算

6核モリブデンクラスター錯体Cs2[Mo6X14](X= Cl, Br, and I)の結晶・電子構造をXRD、UV-Vis、XPSで評価し、DFT計算の結果と比較した。特に錯体の電子構造について、XPSスペクトルとAlKαの光断面積で補正したPDOSを比較すると、PDOSはXPSスペクトルよりVBMのバンド幅が0.7–1.0 eV狭いものの、ピーク強度や波形は実測とよく一致した。本検討から、DFT計算がCs2[Mo6X14]の電子構造をよく再現でき、今後光学特性を変調するための材料設計を行う上で有用であることが示唆された。