[21a-S422-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[21a-S422-5] 【第7回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演】 シリコンにおける直接・間接光学遷移の電気的調整

〇登坂 仁一郎¹、西口 克彦¹、藤原 聡¹ (1.NTT物性研)

キーワード：シリコン、発光、谷分離

シリコンにおける直接・間接光学遷移の電気的調整について報告する。高温アニールにより形成された特殊なSi/SiO₂界面で発現する巨大谷分離を利用することで、フォノンを介さない直接光学遷移のゲート電界調整を提案・実証した。ゲート電界を調整することで直接光学遷移の強度は、間接遷移に対し16倍の値を示し、バルクシリコンで観測される微弱な直接光学遷移に対し少なくとも100倍の改善が確認された。