2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス/集積化技術

[21a-S422-1~10] 13.5 デバイス/集積化技術

2016年3月21日(月) 09:00 〜 12:15 S422 (南4号館)

内田 建(慶大)、遠藤 哲郎(東北大)

11:15 〜 11:30

[21a-S422-7] 温度サイクルを減らした酸化濃縮法による高圧縮ひずみ極薄膜Ge-OI 構造の実現

金 佑彊1,2、竹中 充1,2、高木 信一1,2 (1.東大院工、2.JST-CREST)

キーワード:酸化濃縮、ひずみ、Ge