[21a-S422-1~10] 13.5 Semiconductor devices and related technologies

[21a-S422-9] RF characteristics of InGaAs MOSFET on quartz glass substrate

〇Eiji Kume¹, Hiroyuki Ishii², Hiroyuki Hattori², Wen-Hsin Chang², Mutsuo Ogura¹, Tatsuro Maeda² (1.IRspec Corp., 2.AIST-NeRI)

Keywords:InGaAsOI,RF device

DWBにより石英基板上にInGaAs MOSFETを作製した。DC特性はp-InP基板上と同程度の示したのに対して、RF特性では石英基板上での遮断周波数がp-InP基板上と比べて約15倍大きかった。