[21a-W321-1~12] 3.7 レーザープロセシング

[21a-W321-4] 1.5 μmフェムト秒ベッセルビームによるSi貫通穴の形成

He Fei^1,2、Cheng Ya²、〇杉岡 幸次¹ (1.理研、2.SIOM)

キーワード：フェムト秒レーザー加工、ベッセルビーム、Si貫通穴

シリコン貫通ビア（Through Silicon Via: TSV）加工は、3 次元Si ICを実現するためのKey 技術である。本講演では、1.5 μmのフェムト秒ベッセルビームにより、テーパレス•高アスペクト比の微細TSVを形成する技術を提案する。さらに、ベッセルビームのサイドローブによって発生するビア周辺の損傷を抑制するために、位相板によりベッセルビームを整形する技術を紹介する。