[21a-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-W541-10] 高N_t/N_d比のMOCVD n-GaNの一定容量DLTS測定

〇(M1)上田 聖悟¹、宮本 一輝¹、徳田 豊¹ (1.愛知工大)

キーワード：GaN、Nt/Nd

高N_t/Nd比のSiドープn-GaNに対してDLTS測定によるトラップ評価を行った。トラップ濃度がSiドープ量に近い場合は、一定容量DLTS法にて検討した。使用試料はn⁺-GaN基板上MOCVD成長Siドープn-GaN、Si濃度は4.1x10¹⁶ cm^-3である。E3電子トラップ(E_c-0.57 eV)の容量DLTS信号において280.7 K、282.3 Kのピーク温度の相違が観測された。トラップ濃度N_tと、キャリア濃度N_dの比は、それぞれ0.9、0.15であった。E3の一定容量DLTS信号は、両試料ともピーク温度283.8Kで一致した。