[21a-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [21a-W541-11] GaN基板上GaNショットキーダイオードにおける転位と深い準位の関連性評価

〇間瀬 駿¹、浦山 雄也¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：半導体、窒化ガリウム、DLTS

Ⅴ/Ⅲ比を変えたn⁺-GaN基板上GaNショットキーダイオードにおける深い準位と転位の評価を行った。
DLTS測定の結果、3つのピークが確認され、高温側のピーク3については線欠陥関連のトラップであることが分かった。
室温付近のピーク2及びピーク3のトラップ密度はⅤ/Ⅲ比の増大と共に増加する傾向が見らたが、これはCLにおけるダークスポットの密度と同じ傾向で、同じ起源が関連していることが示唆される。