[21a-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-W541-3] Au/p形ダイヤモンドショットキー接触の変位電流
- p形GaNショットキー接触との比較 -

〇塩島 謙次¹、青木 俊周¹、寺地 徳之²、小出 康夫² (1.福井大院工、2.物質・材料研究機構)

キーワード：ダイヤモンド、ショットキー接触、変位電流

p形ダイヤモンドショットキー接触に対して変位電流を評価したので、p形GaNショットキー接触との比較を中心として報告する。
p形GaN試料においては、変位電流と共に、我々がメモリー効果と呼んでいる欠陥の充放電による現象が生じた。ｐ形ダイヤモンド試料ではメモリー効果がみられず、変位電流のみが観測された。従って、p形ダイヤモンド試料では表面欠陥がp形GaNと比べて少ないことを示唆している。