[21a-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-W541-5] ICPエッチングによりGaN表面に導入された損傷の界面顕微光応答法による2次元評価

〇今立 宏美¹、寺野 昭久¹、塩島 謙次¹ (1.福井大院工)

キーワード：界面顕微光応答法、エッチング、n-GaN

金属/半導体界面を2次元評価できる界面顕微光応答法を用いて、ICPエッチングによりn-GaN表面に導入されるダメージ、及びその回復過程をショットキー接触の形で2次元評価した。エッチングのパターンが光電流像として検出された。700^oC以上のアニールでエッチングの損傷の回復がみられた。本手法はエッチングにより導入された損傷を高感度に検出できることを示した。