[21a-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-W541-7] ホモエピタキシャル成長低ドープn型GaNの深さ方向ドナー密度分布解析における深い準位の影響

〇須田 淳¹、堀田 昌宏¹、前田 拓也²、澤田 直暉¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工、2.京大工)

キーワード：窒化ガリウム、縦型パワーデバイス、深い順位

n型GaNエピ層の評価として容量-電圧(C-V)測定による実効ドナー密度の深さ方向分布の評価が広く用いられているが、今回、縦型パワーデバイスに利用するような低ドープn型GaNの測定結果について詳細に検討したところ、深い準位を考慮した解析が重要であることが分かったので報告する。