[21a-W641-1~12] 6.1 Ferroelectric thin films

[21a-W641-1] Fabrication of oriented PZT thick films using nenosheet interface layer

Ryuto Miyazaki¹, Daichi Ichinose², Jin Woong Kim³, Hiromi Shima³, Akihiro Akama⁴, Takanori Kiguchi⁴, Ken Nishida³, Konno Toyohiko⁴, Hiroshi Funakubo², 〇Hiroshi Uchida¹ (1.Sophia Univ., 2.Tokyo Tech., 3.Nat. Def. Acad, 4.Tohoku Univ.)

Keywords:lead zirconate titanate,nanosheet,crystal orientation

チタン酸ジルコン酸鉛Pb(Zr,Ti)O₃ (PZT) はその優れた強誘電性･圧電性ゆえに微小電気機械システム (Micro-Electro-Mechanical System: MEMS) の構成素子としての応用が期待される。我々はこれまで擬ペロブスカイト型Ca₂Nb₃O₁₀ナノシート (ns-CN) を用いることによりPZT薄膜の一軸配向成長（膜厚~300 nm）に成功し、結晶配向性の制御による分極特性の向上を確認した。これらの成果のMEMS応用を目指し、本研究ではMEMSデバイス製造に要求される膜厚1 µm 以上の一軸配向性PZT厚膜の作製を目的とし、PZT厚膜の配向成長に及ぼす結晶化プロセスの影響を調査した。