[21a-W641-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

[21a-W641-1] ナノシート界面層を利用した配向性PZT厚膜の作製

宮崎 竜斗¹、一ノ瀬 大地²、金 鎭雄³、島 宏美³、赤間 章裕⁴、木口 賢紀⁴、西田 謙³、金野 豊彦⁴、舟窪 浩²、〇内田 寛¹ (1.上智大理工、2.東工大物創、3.防衛大、4.東北大金研)

キーワード：チタン酸ジルコン酸鉛、ナノシート、結晶配向性

チタン酸ジルコン酸鉛Pb(Zr,Ti)O₃ (PZT) はその優れた強誘電性･圧電性ゆえに微小電気機械システム (Micro-Electro-Mechanical System: MEMS) の構成素子としての応用が期待される。我々はこれまで擬ペロブスカイト型Ca₂Nb₃O₁₀ナノシート (ns-CN) を用いることによりPZT薄膜の一軸配向成長（膜厚~300 nm）に成功し、結晶配向性の制御による分極特性の向上を確認した。これらの成果のMEMS応用を目指し、本研究ではMEMSデバイス製造に要求される膜厚1 µm 以上の一軸配向性PZT厚膜の作製を目的とし、PZT厚膜の配向成長に及ぼす結晶化プロセスの影響を調査した。