The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

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Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.1 Ferroelectric thin films

[21a-W641-1~12] 6.1 Ferroelectric thin films

Mon. Mar 21, 2016 9:00 AM - 12:15 PM W641 (W6)

Tomoaki Yamada(Nagoya Univ.), Yoshiomi Hiranaga(Tohoku Univ.)

9:30 AM - 9:45 AM

△ [21a-W641-3] Domain structure change by applying voltage of dominantly in-plane-polarized Pb(Zr,Ti)O3 thin film

〇Daichi Ichinose1, Yoshitaka Ehara1, Takao Shimizu1, Osami Sakata2,3, Tomoaki Yamada4,5, Hiroshi Funakubo1 (1.Tokyo Tech, 2.NIMS, 3.SPring-8, 4.Nagoya Univ, 5.PRESTO)

Keywords:Pb(Zr,Ti)O3,piezoelectric material,domain

正方晶(100)/(001)配向Pb(ZrxTi1-x)O3(PZT)薄膜のドメインは、電界印加時に構造が変化し、それらの挙動が特性を大きく左右する。また面内分極ドメインが支配的なPZT薄膜において、ドメイン構造及び電界印加時の構造変化等十分な研究が成されていない。本研究では、基板から受ける歪の効果を利用することで、面内分極軸優先配向PZT薄膜を作製し、電界印加後のドメイン構造の変化を観察することに成功した。