[21a-W641-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

△ [21a-W641-3] 電界印加による面内分極軸優先配向Pb(Zr,Ti)O₃薄膜のドメイン構造変化

〇一ノ瀬 大地¹、江原 祥隆¹、清水 荘雄¹、坂田 修身^2,3、山田 智明^4,5、舟窪 浩¹ (1.東工大、2.NIMS、3.SPring-8、4.名大、5.PRESTO)

キーワード：Pb(Zr,Ti)O3、圧電体、ドメイン

正方晶(100)/(001)配向Pb(Zr_xTi_1-x)O₃(PZT)薄膜のドメインは、電界印加時に構造が変化し、それらの挙動が特性を大きく左右する。また面内分極ドメインが支配的なPZT薄膜において、ドメイン構造及び電界印加時の構造変化等十分な研究が成されていない。本研究では、基板から受ける歪の効果を利用することで、面内分極軸優先配向PZT薄膜を作製し、電界印加後のドメイン構造の変化を観察することに成功した。