[21a-W833-1~12] 11.4 Analog applications and their related technologies

[21a-W833-9] Superconducting characteristics of NbN films deposited by atomic layer deposition (ALD) process

〇Masahiro Ukibe¹, Go Fujii¹, Shigetomo Shiki¹, Masataka Ohkubo¹ (1.AIST)

Keywords:NbN/AlN/NbN STJ array,particle detector,ALD process

静電型イオン蓄積リングでの中性フラグメント測定に適用することを目指し、2K以上の温度で動作可能な高性能NbN/AlN/NbN STJ（NbN-STJ）アレイ粒子検出器の開発を進めている。NbN-STJアレイ粒子検出器に必要な高品質NbN/AlN/NbN超伝導多層膜は、原料化合物分子(プリカーサー)をモノレイヤーで吸着させ、化学反応により原子一層ずつ目的とする物質を成膜する原子層堆積法(ALD)を用いて成膜している。上記多層膜の最適成膜条件決定に向け、3つの異なる基板温度で成膜したNbN薄膜の超伝導特性を評価した。