[21p-H101-1~10] 応用物理分野で活躍する女性達　－第4回　プラズマと応用技術編－

[21p-H101-8] DLTS法による半導体材料へのプラズマエッチングダメージ評価

〇竹内 和歌奈¹、クスマ ンダリ¹、坂下 満男¹、中塚 理¹、徳田 豊²、財満 鎭明^1,3 (1.名古屋大院工、2.愛知工大、3.名古屋大未来研)

キーワード：半導体、プラズマエッチングダメージ、DLTS