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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[21p-H103-1~21] 6.4 薄膜新材料

2016年3月21日(月) 13:15 〜 19:00 H103 (本館)

遠藤民生(岐阜大)、名村今日子(京大)、永田知子(日大)

15:45 〜 16:00

[21p-H103-10] HfO₂/SiO_X/Si構造におけるC-V特性のアニール温度依存性

〇(M1)上岡聡史¹、三宅省三¹、堀田育志¹、新船幸二¹、佐藤真一¹ (1.兵庫県立大学)

キーワード：high-k、アニール温度

　　　