[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [21p-H111-1] Cu/WO_x平面型抵抗変化メモリのTEMその場観察

〇武藤 恵¹、米坂 瞭太¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報)

キーワード：抵抗変化メモリ、TEM