[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [21p-H111-10] 抵抗変化メモリ(ReRAM)の導電性パス生成機構の検討
～ NiOの様々な表面状態に対する電子状態解析 ～

〇(DC)森山 拓洋^1,4、山崎 隆浩²、大野 隆央^2,3、岸田 悟^1,4、木下 健太郎^1,4 (1.鳥取大工、2.物材機構、3.東大生産研、4.TiFREC)

キーワード：抵抗変化メモリ、第一原理計算、NiO