2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2016年3月21日(月) 13:00 〜 18:45 H111 (本館)

島 久(産総研)、内藤 泰久(産総研)

15:30 〜 15:45

[21p-H111-11] スパッタ堆積TiO2膜の抵抗変化現象に関する考察

川嶋 望1、佐藤 伸吾1、大村 泰久1 (1.関西大)

キーワード:抵抗変化現象、TiO2、酸素イオン拡散

本報告では、スパッタ堆積TiO2薄膜の抵抗変化現象の機構解明に向けた検討結果を述べる。半導体基板上に形成したTiO2膜について、bipolar型抵抗遷移を見出したが、set過程で発生すると見られる酸素イオンの電極への顕著な移動が起こっていないと見られる実験結果が得られた。Set, reset時のfilamentが示す電気的特性がほぼ同じであることから、reset時の構造変化が電極側ではなく、膜内部で発生していることが想定される。これは、酸素イオンの拡散などが顕著でない可能性を示唆しており、電極材料との関係を考える必要があることが示唆された。