[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21p-H111-17] Si 基板上への 鉄酸化物ナノドットの固相エピタキシャル成長とその電気特性評価

〇前田 佳輝¹、黒川 翼¹、石部 貴史¹、渡辺 健太郎¹、成瀬 延康²、中村 芳明¹ (1.阪大院基礎工、2.北海道大学)

キーワード：抵抗変化型メモリ、鉄酸化物、分子線エピタキシー