2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2016年3月21日(月) 13:00 〜 18:45 H111 (本館)

島 久(産総研)、内藤 泰久(産総研)

17:45 〜 18:00

[21p-H111-19] Pt/Nb:STOショットキー接合における障壁変調とメモリ特性の関係

塩見 俊樹1、萩原 祐仁1、岸田 悟1,2、木下 健太郎1,2 (1.鳥取大工、2.TiFREC)

キーワード:抵抗変化メモリ、酸化物エレクトロニクス