[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21p-H111-20] 陰イオン拡散型抵抗変化メモリの荷電状態に基づいた信頼性の検討

〇木村 康平¹、大観 光徳^1,2、岸田 悟^1,2,3、木下 健太郎^1,2,3 (1.鳥取大工、2.鳥取大学工学部附属電子ディスプレイ研究センター、3.鳥取大学工学部附属先端融合研究センター)

キーワード：抵抗変化メモリ、紫外線、ソフトエラー

メモリの高密度化に伴い, 宇宙線由来のソフトエラーが深刻な問題となっている. 故に, 超高密度の次世代メモリとして期待される抵抗変化メモリ(ReRAM)を実用化する上で, そのソフトエラー耐性を明らかにすることが重要である. 本論文では, Pt/NiO/ITO構造のReRAMに対して紫外線を照射し, データ保持特性を調査した. その結果, 低抵抗状態, 高抵抗状態のどちらにおいても紫外線の照射によりソフトエラーが生じることが確認された. 統計的に見積もられたソフトエラー率より, これらのエラーは紫外線照射による電子・正孔対の生成, 及び酸素欠損の価数変化に伴う酸素欠損の凝集と分散に起因することが示唆された.