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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2016年3月21日(月) 13:00 〜 18:45 H111 (本館)

島久(産総研)、内藤泰久(産総研)

14:15 〜 14:30

△ [21p-H111-6] 酸素欠陥型抵抗変化メモリにおける欠陥導入層の材料選択

〇中川良祐¹、福地厚¹、有田正志¹、高橋康夫¹ (1.北大院情報)

キーワード：抵抗変化型メモリ、ReRAM

　　　