[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21p-H111-7] RFスパッタ法によるBaTiO₃薄膜の抵抗変化型メモリ特性の検討

〇前島 壮¹、橋本 修平¹、杉江 敏幸¹、張 子洋¹、山下 馨¹、野田 実¹ (1.京工繊工芸)

キーワード：チタン酸バリウム、ReRAM、スパッタ法

現状のフラッシュメモリを凌駕する最有力候補の一つとして，不揮発性メモリの一種である抵抗変化型メモリ ReRAM (Resistance Random Access Memory) が検討されてきたが，その動作原理については未だ解明されていない。今回RFスパッタ法において，電気特性向上のため，製膜条件を変更し，結晶状態の異なるサンプルを作製することで，さらに結晶状態と抵抗ヒステリシスの相関について検討した。