[21p-H111-1~22] 6.3 Oxide electronics

△ [21p-H111-8] Studies on improvement in Resistive RAM properties of BaTiO₃ thin film with Layer-by-Layer annealing

〇Toshiyuki Sugie¹, Hashimoto Shuhei¹, Maejima Sou¹, Ziyang Zhang¹, Noda Minoru¹, Yamashita kaoru¹ (1.Kyoto Inst. Tech)

Keywords:BaTiO3,ReRAM,Layer by Layer

次世代不揮発性RAMの一種である抵抗変化型メモリ(ReRAM)の材料候補の一つに挙げられるBaTiO₃薄膜をMOD法を用いて成膜し、その作製過程においてLayer-by-Layer表面焼成の最適化による抵抗変化型メモリの耐久性などの問題点について改善を図る研究を行った。