[21p-H112-1~13] 15.3 III-V-group epitaxial crystals

[21p-H112-1] Quantitative analysis of trace metallic contamination of III-V compound semiconductor surfaces

〇Rikiichi Ohno¹, Koichiro Saga¹ (1.SONY)

Keywords:TXRF

Si半導体と同様にIII-V化合物半導体でも重金属汚染が問題となる。全反射蛍光X線分析法（TXRF）を用いて、高移動度チャネル候補材料（InP, InAs, InGaAs, GaAs, GaSb）表面に各種重金属を汚染し、主要な汚染源の重金属の検出を試みた。構成元素からのメインピークだけでなくサムピークまたはラマン散乱によりバックグラウンドが上がり、微量金属の検出下限が高くなることを明らかにした。