[21p-H112-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[21p-H112-1] III-V化合物半導体表面の微量金属汚染の定量分析

〇大野 力一¹、嵯峨 幸一郎¹ (1.ソニー)

キーワード：全反射蛍光X線分析法

Si半導体と同様にIII-V化合物半導体でも重金属汚染が問題となる。全反射蛍光X線分析法（TXRF）を用いて、高移動度チャネル候補材料（InP, InAs, InGaAs, GaAs, GaSb）表面に各種重金属を汚染し、主要な汚染源の重金属の検出を試みた。構成元素からのメインピークだけでなくサムピークまたはラマン散乱によりバックグラウンドが上がり、微量金属の検出下限が高くなることを明らかにした。