[21p-H112-1~13] 15.3 III-V-group epitaxial crystals

[21p-H112-11] 3-5 μm range metamorphic InAsSb growth on GaAs substrate using MOVPE

〇(B)Yuga Imamura¹, Keita Yoshimoto¹, Masakazu Arai¹ (1.Univ. of Miyazaki)

Keywords:Sb,mid infrared,MOVPE

今回はGaAs基板の上に格子歪緩和させるGaSbバッファ層を介して成長したInAsとInAsSbを有機金属気相成長法で成長し評価した。