[21p-H112-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[21p-H112-11] 波長3-5μm帯GaAs基板上InAsSbのMOVPE成長

〇(B)今村 優雅¹、吉元 圭太¹、荒井 昌和¹ (1.宮崎大工)

キーワード：アンチモン、中赤外、MOVPE

今回はGaAs基板の上に格子歪緩和させるGaSbバッファ層を介して成長したInAsとInAsSbを有機金属気相成長法で成長し評価した。