[21p-H112-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[21p-H112-4] GaAsN薄膜のALE法によるSi供給順序がSi吸着サイトに与える影響

〇横山 祐貴¹、堀切 将¹、原口 智宏¹、山内 俊浩¹、鈴木 秀俊¹、碇 哲雄¹、福山 敦彦¹ (1.宮崎大工)

キーワード：原子層エピタキシー、シリコンドープ