[21p-H112-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

△ [21p-H112-7] MOVPE 成長GaAs/Ge/Si 構造のアニールによる結晶品質の向上

〇中尾 亮^1,2、荒井 昌和^1,2、山本 剛¹、松尾 慎治^1,2 (1.NTT先端集積デバイス研、2.ナノフォトニクスセンタ)

キーワード：結晶成長

近年，Si 基板上のGaAs 層成長に際し，GaAs と格子整合するGe バッファ層を用いた成長が提案されている。我々は、MOVPE 成長したGaAs/Ge/Si 構造に対し熱サイクルアニールを行うことにより，成長表面のピットの減少と発光強度の増大を確認した。