2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[21p-H112-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2016年3月21日(月) 13:15 〜 16:45 H112 (本館)

宮本 智之(東工大)

15:30 〜 15:45

[21p-H112-9] Si基板に直接接合したInP薄膜上へのInGaAsP系MQW成長

藤井 拓郎1,2、武田 浩司1,2、菅野 絵理奈1、長谷部 浩一1,2、山本 剛1、硴塚 孝明1,2、松尾 慎治1,2 (1.NTT先端集積デバイス研、2.ナノフォトニクスセンタ)

キーワード:エピタキシャル成長、シリコンフォトニクス、半導体レーザ

我々は小型・低消費電力なSi基板上薄膜レーザの開発を進めている。これまではMQW を含む構造をInP基板上で成長した後にSi基板へ直接接合し、その後InP再成長によって埋込みヘテロ構造を形成していた。今回、Si基板上に接合した InP薄膜上でのInGaAsP-MQW成長を実施した。結晶品質はInP基板上で成長したものと比較して遜色なく、本技術を用いてSi上薄膜レーザを作製し、室温連続発振を確認した。