[21p-H112-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[21p-H112-9] Si基板に直接接合したInP薄膜上へのInGaAsP系MQW成長

〇藤井 拓郎^1,2、武田 浩司^1,2、菅野 絵理奈¹、長谷部 浩一^1,2、山本 剛¹、硴塚 孝明^1,2、松尾 慎治^1,2 (1.NTT先端集積デバイス研、2.ナノフォトニクスセンタ)

キーワード：エピタキシャル成長、シリコンフォトニクス、半導体レーザ

我々は小型・低消費電力なSi基板上薄膜レーザの開発を進めている。これまではMQW を含む構造をInP基板上で成長した後にSi基板へ直接接合し、その後InP再成長によって埋込みヘテロ構造を形成していた。今回、Si基板上に接合した InP薄膜上でのInGaAsP-MQW成長を実施した。結晶品質はInP基板上で成長したものと比較して遜色なく、本技術を用いてSi上薄膜レーザを作製し、室温連続発振を確認した。