[21p-H121-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21p-H121-11] m面サファイア基板上半極性AlGaN/AlN層の結晶成長とドーピング及び量子井戸発光特性

〇(M1)大島 一晟^1,2、定 昌史¹、前田 哲利¹、鎌田 憲彦²、平山 秀樹¹ (1.理研、2.埼玉大)

キーワード：半極性、AlGaN、MOCVD

内部量子効率の高い深紫外LEDの実現に向けて、ピエゾ電界低減の観点から半極性AlGaNヘテロ構造が現在注目されている。半極性面の中でも (11-22)面はピエゾ電界が大きく低減することが予想される有望な面方位である。しかし、サファイア基板上の(11-22)面AlGaN結晶成長は実施例が少なく、また (1-103)面と(11-22)面が混在するといった課題が報告されている。本研究では、(11-22)面AlGaNが得られる成長条件を見出し、Siドーピング及び量子井戸の作製と測定を行った。