[21p-P10-1~24] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-P10-1] リアクタ部品表面保護膜物質の三フッ化塩素によるエッチング速度

塩田 耕平¹、〇羽深 等¹、深江 功也² (1.横浜国大院工、2.関東電化)

キーワード：化学気相堆積法、クリーニング、炭化珪素

三フッ化塩素(ClF₃)ガスを用いてSiC エピタキシャルリアクタのクリーニングを実現するため、三フッ化塩素に腐食されない保護膜を探索し、熱分解炭素被膜の三フッ化塩素によるエッチング速度を炭化珪素皮膜と比較したので、報告する。