[21p-P10-1~24] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-P10-10] フェムト秒レーザー照射によるSiC表面周期構造形成メカニズム

〇広瀬 雄治¹、江龍 修¹ (1.名工大)

キーワード：周期構造、フェムト秒レーザー、形成機構

フェムト秒レーザーににより難加工材料であるSiCの表面上に自在なナノ構造形成を提案する。
半導体表面に加工閾値近傍のフルエンスでフェムト秒レーザーを照射すると微細周期構造が自己組織化的に形成される。この形成メカニズムは入射光、固体表面からの散乱光、表面電磁波との干渉による説が提唱されているが、照射パルスの数を議論したものは少ない。そこで高速に移動するステージを用いて照射パルス数を変化させた。