[21p-P10-1~24] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-P10-13] 4H-SiC(0001)/SiO2 界面での欠陥準位の分布の第一原理解析

〇金子 智昭^1,2、山崎 隆浩^1,2、田島 暢夫^1,2,3、奈良 純^1,2、清水 達雄⁴、加藤 弘一³、大野 隆央^1,2,3 (1.物質・材料研究機構、2.高効率電デバコンソ、3.東大生産研、4.東芝研究開発センター)

キーワード：炭化硅素、欠陥準位、第一原理計算

SiC パワーデバイスでは伝導帯下端近傍に現れる欠陥準位の存在が大きな問題となっている。 これまで炭素原子由来の欠陥準位の重要性が示唆されてきたが、欠陥準位の局所的な構造に対する依存性等の詳細な検討はなされていない。本研究では SiC/SiO2 界面近傍における種々の欠陥に対する系統的な第一原理計算を行い、欠陥準位の局所的な構造に対する依存性について調べた。