The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

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15 Crystal Engineering » 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[21p-P10-1~24] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

Mon. Mar 21, 2016 1:30 PM - 3:30 PM P10 (Gymnasium)

1:30 PM - 3:30 PM

[21p-P10-2] Shape control of SiC trench structure by Si-vapor ambient annealing

Norihito Yabuki1, Satoshi Torimi1, Satoru Nogami1, Tadaaki Kaneko2, Makoto Kitabatake1 (1.Toyo Tanso, 2.Kwansei Gakuin Univ.)

Keywords:trench,Activation annealing

プレーナ構造と比較してさらなる低オン抵抗化が可能であるトレンチ構造のSiCデバイス開発が進められている。しかし、トレンチ端の鋭角部分における電界集中による耐圧低下、トレンチ側壁の表面荒れによる電子移動度低下が問題となっている。本報告ではSi雰囲気アニール法を用いたSiCウェハのトレンチ端部形状制御と側壁・底部の表面粗さ改善効果について報告する。