[21p-P10-1~24] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[21p-P10-2] Shape control of SiC trench structure by Si-vapor ambient annealing

〇Norihito Yabuki¹, Satoshi Torimi¹, Satoru Nogami¹, Tadaaki Kaneko², Makoto Kitabatake¹ (1.Toyo Tanso, 2.Kwansei Gakuin Univ.)

Keywords:trench,Activation annealing

プレーナ構造と比較してさらなる低オン抵抗化が可能であるトレンチ構造のSiCデバイス開発が進められている。しかし、トレンチ端の鋭角部分における電界集中による耐圧低下、トレンチ側壁の表面荒れによる電子移動度低下が問題となっている。本報告ではSi雰囲気アニール法を用いたSiCウェハのトレンチ端部形状制御と側壁・底部の表面粗さ改善効果について報告する。